Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

SCTW35N65G2VAG

Name: STMicroelectronics SCTW35N65G2VAG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTW35N65G2VAG
Price: 827.08 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

511-SCTW35N65G2VAG

Mfr. #:

SCTW35N65G2VAG

Mfr.:

STMicroelectronics

Paglalarawan:

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 2

Kumpletuhin ang Iyong Disenyo

Lifecycle:

End of Life:

Naka-iskedyul para sa kalumaan at ihihinto na ng manufacturer.

Datasheet:

SCTW35N65G2VAG Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

May Stock: 198

Stock:: 198 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.

Ang mga dami na higit pa sa 198 ay sasailalim sa minimum na mga kinakailangan sa pag-order.

Matagal na lead time na iniulat sa produktong ito.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱827.08	₱827.08
	₱618.28	₱6,182.80
	₱542.88	₱54,288.00
	₱495.90	₱297,540.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	STMicroelectronics
Kategorya ng Produkto:	Mga SiC MOSFET
RoHS:
Isitilo ng Mounting:	Through Hole
Package / Case:	HiP-247-3
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V
Id - Continuous Drain Current:	45 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	67 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	5 V
Qg - Gate Charge:	73 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 200 C
Pd - Power Dissipation:	240 W
Channel Mode:	Enhancement
Kuwalipikasyon:	AEC-Q101
Brand:	STMicroelectronics
Bansa ng Pag-assemble:	Not Available
Bansa ng Diffusion:	Not Available
Bansang Pinagmulan:	CN
Packaging:	Tube
Uri ng Produkto:	SiC MOSFETS
Dami ng Pack ng Pabrika:	600
Subcategory:	Transistors
Teknolohiya:	SiC
Timbang ng Unit:	4.500 g

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

SCTW35N65G2VAG Datasheet (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Mga Automotive-Grade Silicon Carbide Power MOSFET

Ang mga STMicroelectronics Automotive-Grade Silicon Carbide Power MOSFET ay na-develop gamit ang advanced at makabagong 2nd/3rd generation SiC MOSFET technology. Nagtatampok ang mga device ng mababang on-resistance kada unit area at napakahusay na switching performance. Ang mga MOSFET ay nagtatampok ng napakataas na operating temperature capability (TJ = 200°C), at napakabilis at napakatibay na intrinsic body diode.

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance R_DS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.