IS67WVH16M8DBLL-166B1LA2

ISSI
870-16M8DBLL166B1LA2
IS67WVH16M8DBLL-166B1LA2

Mfr.:

Paglalarawan:
SRAM 128Mb, HyperRAM, 16Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS, Automotive

Lifecycle:
Bagong Produkto:
Bago mula sa manufacturer na ito.
ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

May Stock: 364

Stock:
364 Maaaring Ipadala Agad
Lead-Time ng Pabrika:
14 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.
Minimum: 1   Mga Multiple: 1   Maximum: 200
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
₱463.42 ₱463.42
₱431.52 ₱4,315.20
₱418.18 ₱10,454.50
₱408.32 ₱20,416.00
₱398.46 ₱39,846.00

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
ISSI
Kategorya ng Produkto: SRAM
RoHS:  
128 Mb
16 M x 8
35 ns
166 MHz
3.6 V
2.7 V
- 40 C
+ 105 C
SMD/SMT
TFBGA-24
Brand: ISSI
Bansa ng Pag-assemble: Not Available
Bansa ng Diffusion: Not Available
Bansang Pinagmulan: TW
Bilis ng Data: 400 MB/s
Uri ng Memory: PSRAM
Maselan sa Moisture: Yes
Uri ng Produkto: SRAM
Dami ng Pack ng Pabrika: 480
Subcategory: Memory & Data Storage
Uri: Pseudo Static Random Access Memory
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320030
USHTS:
8542320041
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

IS67WVH/IS67WVO Memory Devices

ISSI IS67WVH/IS67WVO Memory Devices contain 64Mb/128Mb Pseudo Static Random Access (PSRAM) memory using a self-refresh DRAM array organized as 8M/16M words by 8bits. These memory devices offer up to 400MB/s of high-performance. The IS67WVH HyperRAM™ devices support a HyperBus interface, very low signal count (address, command, and data through 8 DQ pins), and hidden refresh operation. These integrated memory devices feature sequential burst transactions, Read-Write Data Strobe (RWDS), and Double Data Rate (DDR). The IS67WVO memory devices support an Octal Peripheral Interface (OPI) (address, command, and data through 8 SIO pins), very low signal count, and hidden refresh operation. These memory devices are ideal for automotive applications.