Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

May Nakikitang Error?

IXFN360N10T

Name: IXYS IXFN360N10T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN360N10T
Price: 1656.48 PHP
Availability: OutOfStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

747-IXFN360N10T

Mfr. #:

IXFN360N10T

Mfr.:

IXYS

Paglalarawan:

MOSFET Modules 360 Amps 100V

Datasheet:

IXFN360N10T Datasheet

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa IXYS IXFN360N10T

Availability

Stock:: 0

Mabibili mo pa rin ang produktong ito para sa backorder.

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 23 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱1,656.48	₱1,656.48
	₱1,211.04	₱12,110.40
	₱1,029.50	₱102,950.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	IXYS
Kategorya ng Produkto:	Mga MOSFET Module
RoHS:
REACH - SVHC:
Teknolohiya:	Si
Isitilo ng Mounting:	Screw Mount
Package / Case:	SOT-227-4
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	100 V
Id - Continuous Drain Current:	360 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	2.6 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2.5 V
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Pd - Power Dissipation:	830 W
Series:	IXFN360N10
Packaging:	Tube
Brand:	IXYS
Kumpigurasyon:	Single
Bansa ng Pag-assemble:	Not Available
Bansa ng Diffusion:	Not Available
Bansang Pinagmulan:	KR
Tagal ng Pagbagsak:	160 ns
Uri ng Produkto:	MOSFET Modules
Tagal ng Pagtaas:	100 ns
Dami ng Pack ng Pabrika:	10
Subcategory:	Discrete and Power Modules
Pangalang pangkalakal:	HiPerFET
Uri:	Power MOSFET
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	80 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	47 ns
Timbang ng Unit:	30 g

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

IXFN360N10T Datasheet

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CNHTS:: 8504901900
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low R_DS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.