IXTH1N300P3HV

Name: IXYS IXTH1N300P3HV
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTH1N300P3HV
Price: 2028.26 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

747-IXTH1N300P3HV

Mfr. #:

IXTH1N300P3HV

Mfr.:

IXYS

Datasheet:

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Stock:: 428

Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Inoorder:: 300
Lead-Time ng Pabrika:: 26

(na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱2,028.26	₱2,028.26
	₱1,539.90	₱15,399.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	IXYS
Kategorya ng Produkto:	Mga MOSFET
RoHS:
Teknolohiya:	Si
Isitilo ng Mounting:	Through Hole
Package / Case:	TO-247-3
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	3 kV
Id - Continuous Drain Current:	1 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	50 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2 V
Qg - Gate Charge:	30.6 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	195 W
Channel Mode:	Enhancement
Packaging:	Tube
Brand:	IXYS
Kumpigurasyon:	Single
Bansa ng Pag-assemble:	Not Available
Bansa ng Diffusion:	Not Available
Bansang Pinagmulan:	KR
Tagal ng Pagbagsak:	60 ns
Uri ng Produkto:	MOSFETs
Tagal ng Pagtaas:	35 ns
Dami ng Pack ng Pabrika:	30
Subcategory:	Transistors
Uri ng Transistor:	1 N-Channel
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	78 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	22 ns
Timbang ng Unit:	6 g