Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

May Nakikitang Error?

AIMZA75R007M2HXKSA1

Name: Infineon AIMZA75R007M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-AIMZA75R007M2HXK
Price: 2077.56 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

726-AIMZA75R007M2HXK

Mfr. #:

AIMZA75R007M2HXKSA1

Mfr.:

Infineon Technologies

Paglalarawan:

SiC MOSFETs Automotive SiC MOSFET, 750 V

Lifecycle:

Bagong Produkto:

Bago mula sa manufacturer na ito.

Datasheet:

AIMZA75R007M2HXKSA1 Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa Infineon Technologies AIMZA75R007M2HXKSA1

May Stock: 15

Stock:: 15 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 8 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱2,077.56	₱2,077.56
	₱1,699.98	₱16,999.80
	₱1,502.20	₱150,220.00
1,000	Quote

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Infineon
Kategorya ng Produkto:	Mga SiC MOSFET
Isitilo ng Mounting:	Through Hole
Package / Case:	PG-TO-247-4
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	750 V
Id - Continuous Drain Current:	172 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	9 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 11 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	5.6 V
Qg - Gate Charge:	169 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Pd - Power Dissipation:	263 W
Channel Mode:	Enhancement
Pangalang pangkalakal:	CoolSiC
Brand:	Infineon Technologies
Kumpigurasyon:	Single
Bansa ng Pag-assemble:	Not Available
Bansa ng Diffusion:	Not Available
Bansang Pinagmulan:	AT
Tagal ng Pagbagsak:	10 ns
Forward Transconductance - Min:	78 S
Packaging:	Tube
Produkto:	Power MOSFET
Uri ng Produkto:	SiC MOSFETS
Tagal ng Pagtaas:	18 ns
Subcategory:	Transistors
Teknolohiya:	SiC
Uri ng Transistor:	1 N-Channel
Uri:	CoolSiC Automotive Power Device
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	40 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	17 ns
Mga Alias ng # ng Piyesa :	AIMZA75R007M2H SP006113236

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

AIMZA75R007M2HXKSA1 Datasheet (PDF)

ECCN:: EAR99

CoolSiC™ Automotive 750V G2 MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 750V G2 MOSFETs are engineered to meet the stringent demands of electric vehicle (EV) applications such as traction inverters, onboard chargers (OBC), and high-voltage DC/DC converters. These silicon carbide (SiC) MOSFETs deliver exceptional efficiency, power density, and thermal performance, enabling next-generation e-mobility systems. With a voltage rating of 750V and second-generation CoolSiC™ technology, these devices offer improved switching behavior and reduced losses compared to traditional silicon solutions. The portfolio includes a range of R_DS(on) values from 9mΩ to 78mΩ, providing flexibility for designers to optimize conduction and switching performance.