Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

May Nakikitang Error?

IMBG65R010M2HXTMA1

Name: Infineon IMBG65R010M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBG65R010M2HXTM
Price: 1368.22 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

726-IMBG65R010M2HXTM

Mfr. #:

IMBG65R010M2HXTMA1

Mfr.:

Infineon Technologies

Paglalarawan:

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

Lifecycle:

Bagong Produkto:

Bago mula sa manufacturer na ito.

Datasheet:

IMBG65R010M2HXTMA1 Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa Infineon Technologies IMBG65R010M2HXTMA1

May Stock: 360

Stock:: 360 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 52 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱1,368.22	₱1,368.22
	₱1,021.38	₱10,213.80
	₱883.34	₱88,334.00
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 1000)
	₱883.34	₱883,340.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Infineon
Kategorya ng Produkto:	Mga SiC MOSFET
RoHS:
Isitilo ng Mounting:	SMD/SMT
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V
Id - Continuous Drain Current:	158 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	13.1 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 7 V, + 23 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	5.6 V
Qg - Gate Charge:	112 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Pd - Power Dissipation:	535 W
Channel Mode:	Enhancement
Pangalang pangkalakal:	CoolSiC
Brand:	Infineon Technologies
Kumpigurasyon:	Single
Bansa ng Pag-assemble:	Not Available
Bansa ng Diffusion:	Not Available
Bansang Pinagmulan:	MY
Tagal ng Pagbagsak:	9.4 ns
Packaging:	Reel
Packaging:	Cut Tape
Produkto:	SiC MOSFETS
Uri ng Produkto:	SiC MOSFETS
Tagal ng Pagtaas:	24 ns
Series:	650V G2
Dami ng Pack ng Pabrika:	1000
Subcategory:	Transistors
Teknolohiya:	SiC
Uri ng Transistor:	1 N-Channel
Uri:	CoolSiC MOSFET
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	30 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	16 ns
Mga Alias ng # ng Piyesa :	IMBG65R010M2H SP005961932

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

IMBG65R010M2HXTMA1 Datasheet (PDF)

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 650V G2 MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 650V G2 MOSFET ay gumagamit ng mga kakayahan sa pagganap ng silicon carbide sa pamamagitan ng pagpapagana ng mas mababang pagkawala ng enerhiya, na nagsasalin sa mas mataas na kahusayan sa panahon ng conversion ng kuryente. Maraming naitutulong ang Infineon CoolSiC 650V G2 MOSFET para sa iba't ibang power semiconductor application gaya ng photovoltaics, energy storage, DC EV charging, mga motor drive, at industrial power supply. Kapag may CoolSiC G2 ang isang DC fast charging station na para sa mga electric vehicle, hanggang 10% na less ang power loss kaysa sa mga naunang generation habang nagiging mas mataas ang charging capacity nang hindi nakokompromiso ang mga form factor.