Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

May Nakikitang Error?

IMBG75R025M2HXTMA1

Name: Infineon IMBG75R025M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBG75R025M2HXTM
Price: 715.14 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

726-IMBG75R025M2HXTM

Mfr. #:

IMBG75R025M2HXTMA1

Mfr.:

Infineon Technologies

Paglalarawan:

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2

Lifecycle:

Bagong Produkto:

Bago mula sa manufacturer na ito.

Datasheet:

IMBG75R025M2HXTMA1 Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa Infineon Technologies IMBG75R025M2HXTMA1

May Stock: 112

Stock:: 112 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 8 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱715.14	₱715.14
	₱582.32	₱5,823.20
	₱485.46	₱48,546.00
	₱437.32	₱218,660.00
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 1000)
	₱404.26	₱404,260.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Infineon
Kategorya ng Produkto:	Mga SiC MOSFET
RoHS:
Isitilo ng Mounting:	SMD/SMT
Package / Case:	TO-263-7
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	750 V
Id - Continuous Drain Current:	64 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	31 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 7 V, 23 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	5.6 V
Qg - Gate Charge:	49 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Pd - Power Dissipation:	234 W
Channel Mode:	Enhancement
Pangalang pangkalakal:	CoolSiC
Brand:	Infineon Technologies
Kumpigurasyon:	Single
Bansa ng Pag-assemble:	MY
Bansa ng Diffusion:	Not Available
Bansang Pinagmulan:	AT
Tagal ng Pagbagsak:	7 ns
Packaging:	Reel
Packaging:	Cut Tape
Produkto:	SiC MOSFET
Uri ng Produkto:	SiC MOSFETS
Tagal ng Pagtaas:	9 ns
Series:	CoolSiC G2
Dami ng Pack ng Pabrika:	1000
Subcategory:	Transistors
Teknolohiya:	SiC
Uri ng Transistor:	1 N-Channel
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	21 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	10 ns
Mga Alias ng # ng Piyesa :	IMBG75R025M2H SP006098939

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

IMBG75R025M2HXTMA1 Datasheet (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 750V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G2 Silicon Carbide MOSFETs are designed to offer high efficiency, robustness against parasitic turn-on for unipolar gate driving, and reliability. These MOSFETs offer superior performance in Totem Pole, ANPC, Vienna rectifier, and FCC hard-switching topologies. The reduction in Output Capacitance (Coss) enables the MOSFETs to operate at higher switching frequencies in Cycloconverter, CLLC, DAB, and LLC soft switching topologies. The CoolSiC™ 750V G2 MOSFETs feature up to 78mΩ maximum drain-source on-resistance and switching losses through improved gate control. These MOSFETs are automotive and industrial qualified. Typical applications include EV charging infrastructure, telecom, circuit breakers, solid state relays, solar PV inverters, and HV‑LV DC-DC converters.