Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

May Nakikitang Error?

CGH60030D-GP4

Name: MACOM CGH60030D-GP4
Brand: MACOM
SKU: 941-CGH60030D
Price: 11711.94 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

941-CGH60030D

Mfr. #:

CGH60030D-GP4

Mfr.:

MACOM

Paglalarawan:

GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt

Datasheet:

CGH60030D-GP4 Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa MACOM CGH60030D-GP4

May Stock: 10

Stock:: 10 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 26 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 10 Mga Multiple: 10

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱11,711.94	₱117,119.40
100	Quote

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	MACOM
Kategorya ng Produkto:	GaN FETs
RoHS:
Isitilo ng Mounting:	SMD/SMT
Package / Case:	Die
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	2 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	120 V
Id - Continuous Drain Current:	3 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	500 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	- 3 V
Brand:	MACOM
Kumpigurasyon:	Dual
Bansa ng Pag-assemble:	Not Available
Bansa ng Diffusion:	Not Available
Bansang Pinagmulan:	US
Gain:	15 dB
Maximum na Operating Frequency:	6 GHz
Minimum na Operating Frequency:	4 GHz
Output Power:	30 W
Packaging:	Waffle
Produkto:	GaN HEMTs
Uri ng Produkto:	GaN FETs
Dami ng Pack ng Pabrika:	10
Subcategory:	Transistors
Teknolohiya:	GaN
Uri ng Transistor:	GaN HEMT
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage:	- 10 V to 2 V
Timbang ng Unit:	7.326 g

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

                        
Cree RF Products

Mouser is not authorized to break pack on these products.

Please contact a Mouser Technical Sales Representative for
further information.

5-0614-38

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

CGH60030D-GP4 Datasheet (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GaN HEMTs

MACOM Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to deliver high efficiency and high gain. The modules also feature wide bandwidth capabilities, making them ideal for linear and compressed amplifier circuits. GaN offers superior properties compared to silicon or gallium Arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. For design flexibility, MACOM GaN HEMTs are offered in a variety of package types, including DFN, 440193, 440196, 440166, 440206, and bare die.