PXAE263708NB-V1-R0

Name: MACOM PXAE263708NB-V1-R0
Brand: MACOM
SKU: 941-PXAE263708NBV1R0
Price: 3859.32 PHP
Availability: OutOfStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

941-PXAE263708NBV1R0

Mfr. #:

PXAE263708NB-V1-R0

Mfr.:

MACOM

Paglalarawan:

RF MOSFET Transistors 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz

Datasheet:

PXAE263708NB-V1-R0 Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa MACOM PXAE263708NB-V1-R0

Availability

Stock:: Hindi Naka-stock

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: Humiling ng Quote sa Paghahatid

Ipasok ang Dami:

Minimum: 50 Mga Multiple: 50

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 50)
	₱3,859.32	₱192,966.00
	₱3,376.18	₱337,618.00
1,000	Quote

Alternatibong Packaging

Mfr. # ng Piyesa:

PXAE263708NB-V1-R2

Packaging:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Availability:

May Stock

Presyo:

₱6,842.84

Min:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	MACOM
Kategorya ng Produkto:	Mga RF MOSFET Transistor
RoHS:
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Teknolohiya:	Si
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	65 V
Rds On - Drain-Source Resistance:	80 mOhms
Frequency ng Pagpapatakbo:	2.62 GHz to 2.69 GHz
Gain:	13.5 dB
Output Power:	400 W
Maximum na Operating Temperature:	+ 225 C
Isitilo ng Mounting:	Screw Mount
Package / Case:	HB2SOF-8-1
Packaging:	Reel
Brand:	MACOM
Bansa ng Pag-assemble:	Not Available
Bansa ng Diffusion:	Not Available
Bansang Pinagmulan:	MY
Dami ng Channel:	1 Channel
Uri ng Produkto:	RF MOSFET Transistors
Dami ng Pack ng Pabrika:	50
Subcategory:	MOSFETs
Uri:	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 6 V to + 10 V

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

PXAE263708NB-V1-R0 Datasheet (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-04-25 (PDF)

USHTS:: 8541290055
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Mga 5G RF JFET at LDMOS FET

Ang mga MACOM 5G RF Junction Field Effect Transistor (JFET) at Laterally Diffused Metal-Oxide Semiconductor (LDMOS) FET ay mga thermally enhanced na high-power transistor para sa next generation na wireless transmission. Nagtatampok ang mga device na ito ng GaN on SiC high electron mobility transistor (HEMT) technology, input matching, mataas na efficiency, at thermally enhanced na surface-mount package na may earless flange. Bagay na bagay ang mga MACOM 5G RF JFET at LDMOS FET para sa mga multi-standard cellular power amplifier na application.