Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

May Nakikitang Error?

MSC025SMA120B4N

Name: Microchip MSC025SMA120B4N
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC025SMA120B4N
Price: 1704.04 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

579-MSC025SMA120B4N

Mfr. #:

MSC025SMA120B4N

Mfr.:

Microchip Technology

Paglalarawan:

SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 Notch

Lifecycle:

Bagong Produkto:

Bago mula sa manufacturer na ito.

Datasheet:

MSC025SMA120B4N Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa Microchip Technology MSC025SMA120B4N

May Stock: 19

Stock:: 19 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱1,704.04	₱1,704.04
	₱1,571.80	₱47,154.00
	₱1,367.64	₱164,116.80

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Microchip
Kategorya ng Produkto:	Mga SiC MOSFET
RoHS:
Isitilo ng Mounting:	Through Hole
Package / Case:	TO-247-4
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	1.2 kV
Id - Continuous Drain Current:	113 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	31 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	5 V
Qg - Gate Charge:	232 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Pd - Power Dissipation:	577 W
Channel Mode:	Enhancement
Brand:	Microchip Technology
Kumpigurasyon:	Single
Bansa ng Pag-assemble:	Not Available
Bansa ng Diffusion:	Not Available
Bansang Pinagmulan:	CN
Tagal ng Pagbagsak:	16 ns
Packaging:	Tube
Uri ng Produkto:	SiC MOSFETS
Tagal ng Pagtaas:	23 ns
Dami ng Pack ng Pabrika:	30
Subcategory:	Transistors
Teknolohiya:	SiC
Uri ng Transistor:	1 N-Channel
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	39 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	17 ns

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

MSC025SMA120B4N Datasheet (PDF)

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) MOSFETs offer superior dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power MOSFETs. These MOSFETs have low capacitances, low gate charge, fast switching speed, and good avalanche ruggedness. The SiC MOSFETs can stabilize operation at 175°C high junction temperature. These MOSFETs provide high efficiency with low switching losses. The SiC MOSFETs do not require any freewheeling diodes. Typical applications include smart grid transmission and distribution, induction heating and welding, and power supply and distribution.