Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

May Nakikitang Error?

MSC060SMA070B4

Name: Microchip MSC060SMA070B4
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC060SMA070B4
Price: 379.9 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

494-MSC060SMA070B4

Mfr. #:

MSC060SMA070B4

Mfr.:

Microchip Technology

Paglalarawan:

SiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247-4

Tingnan sa Development Tools Selector

Datasheet:

MSC060SMA070B4 Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa Microchip Technology MSC060SMA070B4

May Stock: 55

Stock:: 55 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱379.90	₱379.90
	₱350.32	₱10,509.60
	₱305.08	₱36,609.60

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Microchip
Kategorya ng Produkto:	Mga SiC MOSFET
RoHS:
Isitilo ng Mounting:	Through Hole
Package / Case:	TO-247-4
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	700 V
Id - Continuous Drain Current:	39 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	75 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.9 V
Qg - Gate Charge:	56 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Pd - Power Dissipation:	143 W
Channel Mode:	Enhancement
Brand:	Microchip Technology
Kumpigurasyon:	Single
Bansa ng Pag-assemble:	Not Available
Bansa ng Diffusion:	Not Available
Bansang Pinagmulan:	PH
Tagal ng Pagbagsak:	7 ns
Packaging:	Tube
Uri ng Produkto:	SiC MOSFETS
Tagal ng Pagtaas:	7 ns
Dami ng Pack ng Pabrika:	30
Subcategory:	Transistors
Teknolohiya:	SiC
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	26 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	18 ns
Timbang ng Unit:	6 g

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

MSC060SMA070B4 Datasheet (PDF)

DTS

Tingnan sa Development Tools Selector

PCN

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.