Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

MSCSM120TAM16CTPAG

Name: Microchip MSCSM120TAM16CTPAG
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-120TAM16CTPAG
Price: 34327.3 PHP
Availability: OutOfStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

494-120TAM16CTPAG

Mfr. #:

MSCSM120TAM16CTPAG

Mfr.:

Microchip Technology

Datasheet:

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Stock:: Hindi Naka-stock

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 20 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 2 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱34,327.30	₱68,654.60

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Microchip
Kategorya ng Produkto:	Mga Module ng Discrete Semiconductor
RoHS:
Produkto:	MOSFET-SiC SBD Modules
Uri:	MOSFET / SiC SBD
Teknolohiya:	SiC
Vf - Forward Voltage:	1.5 V
Vr - Reverse Voltage:	1.2 kV
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 10 V, + 25 V
Isitilo ng Mounting:	Screw Mount
Package / Case:	SP6P
Minimum na Operating Temperature:	- 40 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 125 C
Packaging:	Bulk
Brand:	Microchip Technology
Bansa ng Pag-assemble:	Not Available
Bansa ng Diffusion:	Not Available
Bansang Pinagmulan:	PH
Tagal ng Pagbagsak:	25 ns
Id - Continuous Drain Current:	171 A
Pd - Power Dissipation:	728 W
Uri ng Produkto:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance:	16 mOhms
Tagal ng Pagtaas:	30 ns
Dami ng Pack ng Pabrika:	1
Subcategory:	Discrete Semiconductor Modules
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	50 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	30 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.8 V