RTDTTP4200W066A

Renesas Electronics
227-RTDTTP4200W066A
RTDTTP4200W066A

Mfr.:

Paglalarawan:
Power Management IC Development Tools 4.2kW Totem Pole PFC Evaluation Kit

Lifecycle:
Bagong Produkto:
Bago mula sa manufacturer na ito.

May Stock: 2

Stock:
2 Maaaring Ipadala Agad
Lead-Time ng Pabrika:
16 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.
Minimum: 1   Mga Multiple: 1
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:
LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
₱69,700.34 ₱69,700.34

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
Renesas Electronics
Kategorya ng Produkto: Mga Tool sa Pag-develop ng Power Management IC
RoHS:  
Evaluation Kits
Power Factor Correction
85 VAC to 270 VAC
TP65H030G4PWS
Gen IV SuperGaN
Brand: Renesas Electronics
Bansa ng Pag-assemble: Not Available
Bansa ng Diffusion: Not Available
Bansang Pinagmulan: TW
Para Magamit sa: GaN FET
Packaging: Bulk
Uri ng Produkto: Power Management IC Development Tools
Dami ng Pack ng Pabrika: 1
Subcategory: Development Tools
Pangalang pangkalakal: SuperGaN
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

CAHTS:
8543700000
USHTS:
8543709860
JPHTS:
854370000
TARIC:
8473302000
ECCN:
EAR99

RTDTTP4200W066A GaN Evaluation Board

Renesas Electronics RTDTTP4200W066A GaN Evaluation Board is a 4.2kW bridgeless totem-pole power factor correction (PFC) evaluation board that enables highly efficient single-phase AC/DC conversion using the current Renesas Gen IV Plus SuperGaN® FET. The Renesas Electronics TP65H030G4PWS is a diode-free Gallium Nitride (GaN) FET bridge with low reverse recovery charge.