MASTERGAN1TR

STMicroelectronics
511-MASTERGAN1TR
MASTERGAN1TR

Mfr.:

Paglalarawan:
Gate Drivers High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Availability

Stock:
Hindi Naka-stock
Lead-Time ng Pabrika:
26 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika.
Matagal na lead time na iniulat sa produktong ito.
Minimum: 3000   Mga Multiple: 3000
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:
LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 3000)
₱228.52 ₱685,560.00

Alternatibong Packaging

Mfr. # ng Piyesa:
Packaging:
Tray
Availability:
May Stock
Presyo:
₱680.92
Min:
1

Katulad na Produkto

STMicroelectronics MASTERGAN6TR
STMicroelectronics
Gate Drivers 650 V enhancement mode GaN High power density half-bridge with high voltage driver
Bagong Produkto: Bago mula sa manufacturer na ito.

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
STMicroelectronics
Kategorya ng Produkto: Mga Gate Driver
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
2 Driver
1 Output
10 A
4.75 V
9.5 V
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Reel
Brand: STMicroelectronics
Bansa ng Pag-assemble: Not Available
Bansa ng Diffusion: Not Available
Bansang Pinagmulan: TH
Maselan sa Moisture: Yes
Uri ng Produkto: Gate Drivers
Dami ng Pack ng Pabrika: 3000
Subcategory: PMIC - Power Management ICs
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.