Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

May Nakikitang Error?

SCT1000N170

Name: STMicroelectronics SCT1000N170
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT1000N170
Price: 515.04 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

511-SCT1000N170

Mfr. #:

SCT1000N170

Mfr.:

STMicroelectronics

Paglalarawan:

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package

Kumpletuhin ang Iyong Disenyo

Datasheet:

SCT1000N170 Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa STMicroelectronics SCT1000N170

May Stock: 564

Stock:: 564 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 21 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Matagal na lead time na iniulat sa produktong ito.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱515.04	₱515.04
	₱352.64	₱3,526.40
	₱261.00	₱26,100.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	STMicroelectronics
Kategorya ng Produkto:	Mga SiC MOSFET
RoHS:
Isitilo ng Mounting:	Through Hole
Package / Case:	HiP-247-3
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	1.7 kV
Id - Continuous Drain Current:	6 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	1 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2.1 V
Qg - Gate Charge:	14 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 200 C
Pd - Power Dissipation:	120 W
Channel Mode:	Enhancement
Brand:	STMicroelectronics
Kumpigurasyon:	Single
Bansa ng Pag-assemble:	IT
Bansa ng Diffusion:	Not Available
Bansang Pinagmulan:	IT
Packaging:	Tube
Uri ng Produkto:	SiC MOSFETS
Series:	SCT1000N170
Dami ng Pack ng Pabrika:	600
Subcategory:	Transistors
Teknolohiya:	SiC
Uri ng Transistor:	1 N-Channel

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

SCT1000N170 Datasheet (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance R_DS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.