Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

May Nakikitang Error?

SGT105R70ILB

Name: STMicroelectronics SGT105R70ILB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT105R70ILB
Price: 372.94 PHP
Availability: OutOfStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

511-SGT105R70ILB

Mfr. #:

SGT105R70ILB

Mfr.:

STMicroelectronics

Paglalarawan:

GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor

Kumpletuhin ang Iyong Disenyo

Lifecycle:

Bagong Produkto:

Bago mula sa manufacturer na ito.

Datasheet:

SGT105R70ILB Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa STMicroelectronics SGT105R70ILB

Availability

Stock:: 0

Mabibili mo pa rin ang produktong ito para sa backorder.

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 18 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Packaging:

Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 3000)

Cut Tape

MouseReel™ (+₱350.00)

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	₱372.94	₱372.94
	₱261.58	₱2,615.80
	₱194.88	₱19,488.00
	₱186.76	₱93,380.00
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 3000)
	₱158.34	₱475,020.00

† ₱350.00 Idaragdag at kakalkulahin sa iyong shopping cart ang bayarin sa MouseReel™ Hindi makakansela at maisasauli ang mga order na MouseReel™ ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	STMicroelectronics
Kategorya ng Produkto:	GaN FETs
RoHS:
Isitilo ng Mounting:	SMD/SMT
Package / Case:	PowerFLAT-8
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	700 V
Id - Continuous Drain Current:	21.7 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	105 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 6 V, + 7 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2.5 V
Qg - Gate Charge:	4.8 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	158 W
Channel Mode:	Enhancement
Brand:	STMicroelectronics
Kumpigurasyon:	Single
Bansa ng Pag-assemble:	Not Available
Bansa ng Diffusion:	Not Available
Bansang Pinagmulan:	CN
Maselan sa Moisture:	Yes
Packaging:	Reel
Packaging:	Cut Tape
Packaging:	MouseReel
Produkto:	FET
Uri ng Produkto:	GaN FETs
Tagal ng Pagtaas:	9 ns
Series:	SGT
Dami ng Pack ng Pabrika:	3000
Subcategory:	Transistors
Teknolohiya:	GaN
Uri:	PowerGaN Transistor

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

SGT105R70ILB Datasheet (PDF)

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors

STMicroelectronics SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.