Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

May Nakikitang Error?

STGP6M65DF2

Name: STMicroelectronics STGP6M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGP6M65DF2
Price: 103.82 PHP
Availability: OutOfStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

511-STGP6M65DF2

Mfr. #:

STGP6M65DF2

Mfr.:

STMicroelectronics

Paglalarawan:

IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss

Kumpletuhin ang Iyong Disenyo

Datasheet:

STGP6M65DF2 Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa STMicroelectronics STGP6M65DF2

Availability

Stock:: Hindi Naka-stock

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Inoorder:: 2,000
Lead-Time ng Pabrika:: 15

(na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱103.82	₱103.82
	₱49.71	₱497.10
	₱44.43	₱4,443.00
	₱35.09	₱17,545.00
	₱32.07	₱32,070.00
	₱29.93	₱59,860.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	STMicroelectronics
Kategorya ng Produkto:	Mga IGBT
RoHS:
Teknolohiya:	Si
Package / Case:	TO-220-3
Isitilo ng Mounting:	Through Hole
Kumpigurasyon:	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1.55 V
Maximum na Gate Emitter Voltage:	- 20 V, 20 V
Tuloy-tuloy na Collector Current sa 25 C:	12 A
Pd - Power Dissipation:	88 W
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Series:	STGP6M65DF2
Packaging:	Tube
Brand:	STMicroelectronics
Tuloy-tuloy na Collector Current Ic Max:	12 A
Bansa ng Pag-assemble:	Not Available
Bansa ng Diffusion:	Not Available
Bansang Pinagmulan:	CN
Gate-Emitter Leakage Current:	250 uA
Uri ng Produkto:	IGBT Transistors
Dami ng Pack ng Pabrika:	1000
Subcategory:	IGBTs
Timbang ng Unit:	1.800 g

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

STGP6M65DF2 Datasheet (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.