STGP7H60DF

STMicroelectronics
511-STGP7H60DF
STGP7H60DF

Mfr.:

Paglalarawan:
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed

ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Availability

Stock:
Hindi Naka-stock
Lead-Time ng Pabrika:
15 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika.
Minimum: 2000   Mga Multiple: 1000
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:
LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
₱30.80 ₱61,600.00

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
STMicroelectronics
Kategorya ng Produkto: Mga IGBT
RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
600 V
1.95 V
- 20 V, 20 V
14 A
88 W
- 55 C
+ 175 C
STGP7H60DF
Tube
Brand: STMicroelectronics
Tuloy-tuloy na Collector Current Ic Max: 14 A
Bansa ng Pag-assemble: Not Available
Bansa ng Diffusion: Not Available
Bansang Pinagmulan: CN
Gate-Emitter Leakage Current: 250 nA
Uri ng Produkto: IGBT Transistors
Dami ng Pack ng Pabrika: 1000
Subcategory: IGBTs
Timbang ng Unit: 6 g
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter. With ST's advanced Trench-Gate Field-Stop High-Speed technology, these IGBTs have a 5μs minimum short circuit withstand time at TJ=150°C, minimal collector current turn off tail, and very low saturation voltage (VCE(sat)) down to 2.1V (typical) to minimize energy losses during switching and when turned on. Furthermore, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.