STGW50H65DFB2-4

STMicroelectronics
511-STGW50H65DFB2-4
STGW50H65DFB2-4

Mfr.:

Paglalarawan:
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac

ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

May Stock: 564

Stock:
564 Maaaring Ipadala Agad
Lead-Time ng Pabrika:
15 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.
Ang mga dami na higit pa sa 564 ay sasailalim sa minimum na mga kinakailangan sa pag-order.
Minimum: 1   Mga Multiple: 1
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
₱307.40 ₱307.40
₱174.00 ₱1,740.00
₱131.08 ₱13,108.00

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
STMicroelectronics
Kategorya ng Produkto: Mga IGBT
RoHS:  
Si
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
86 A
272 W
- 55 C
+ 175 C
Tube
Brand: STMicroelectronics
Bansa ng Pag-assemble: Not Available
Bansa ng Diffusion: Not Available
Bansang Pinagmulan: CN
Uri ng Produkto: IGBT Transistors
Dami ng Pack ng Pabrika: 600
Subcategory: IGBTs
Timbang ng Unit: 4.430 g
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors

STMicroelectronics HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine a very low saturation voltage (down to 1.6V) with a minimal collector current turn-off tail and a maximum operating temperature of 175°C. This enhances the efficiency of high-frequency applications (up to 100kHz) and leverages the advanced proprietary Trench Gate Field-Stop (TGFS) structure.