STGYA75H120DF2

STMicroelectronics
511-STGYA75H120DF2
STGYA75H120DF2

Mfr.:

Paglalarawan:
IGBTs Trench gate field-stop 1200 V, 75 A, high-speed H series IGBT in a Max247 long l

ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

May Stock: 193

Stock:
193 Maaaring Ipadala Agad
Lead-Time ng Pabrika:
14 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.
Minimum: 1   Mga Multiple: 1
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
₱496.48 ₱496.48
₱306.82 ₱3,068.20
₱297.54 ₱35,704.80
₱259.26 ₱132,222.60

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
STMicroelectronics
Kategorya ng Produkto: Mga IGBT
RoHS:  
Si
MAX257-3
Through Hole
Single
1.2 kV
2.1 V
- 20 V, 20 V
150 A
750 W
- 55 C
+ 175 C
Tube
Brand: STMicroelectronics
Tuloy-tuloy na Collector Current Ic Max: 75 A
Bansa ng Pag-assemble: Not Available
Bansa ng Diffusion: Not Available
Bansang Pinagmulan: CN
Gate-Emitter Leakage Current: 250 nA
Uri ng Produkto: IGBT Transistors
Dami ng Pack ng Pabrika: 30
Subcategory: IGBTs
Timbang ng Unit: 4.430 g
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99