Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

May Nakikitang Error?

STH300NH02L-6

Name: STMicroelectronics STH300NH02L-6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STH300NH02L-6
Price: 116 PHP
Availability: OutOfStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

511-STH300NH02L-6

Mfr. #:

STH300NH02L-6

Mfr.:

STMicroelectronics

Paglalarawan:

MOSFETs N-Ch 24V 0.95mOhm 180A STripFET Mosfet

Kumpletuhin ang Iyong Disenyo

Datasheet:

STH300NH02L-6 Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa STMicroelectronics STH300NH02L-6

Availability

Stock:: Hindi Naka-stock

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 16 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1000 Mga Multiple: 1000

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 1000)
	₱116.00	₱116,000.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	STMicroelectronics
Kategorya ng Produkto:	Mga MOSFET
RoHS:
Teknolohiya:	Si
Isitilo ng Mounting:	SMD/SMT
Package / Case:	TO-263-7
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	24 V
Id - Continuous Drain Current:	180 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	1.2 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1 V
Qg - Gate Charge:	109 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Pd - Power Dissipation:	300 W
Channel Mode:	Enhancement
Kuwalipikasyon:	AEC-Q100
Pangalang pangkalakal:	STripFET
Packaging:	Reel
Brand:	STMicroelectronics
Kumpigurasyon:	Single
Bansa ng Pag-assemble:	Not Available
Bansa ng Diffusion:	Not Available
Bansang Pinagmulan:	IT
Tagal ng Pagbagsak:	94.4 ns
Uri ng Produkto:	MOSFETs
Tagal ng Pagtaas:	275 ns
Series:	STH300NH02L-6
Dami ng Pack ng Pabrika:	1000
Subcategory:	Transistors
Uri ng Transistor:	1 N-Channel
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	138 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	18 ns
Timbang ng Unit:	1.600 g

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

STH300NH02L-6 Datasheet (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

STripFET II™ Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET II™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from STMicroelectronics proprietary STripFET™ technology with a gate structure. The resulting STripFET™ Power MOSFET exhibits a high current and low R_DS(on). These Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density. These STripFET™ Power MOSFETs are a well-established planar technology for high-efficiency, low-voltage systems.

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low R_DS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.