Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

May Nakikitang Error?

TK9J90E,S1E

Name: Toshiba TK9J90E,S1E
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK9J90ES1E
Price: 230.84 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

757-TK9J90ES1E

Mfr. #:

TK9J90E,S1E

Mfr.:

Toshiba

Paglalarawan:

MOSFETs PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN

Datasheet:

TK9J90E,S1E Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa Toshiba TK9J90E,S1E

May Stock: 2,986

Stock:: 2,986

Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Inoorder:: 2,401
Lead-Time ng Pabrika:: 9

(na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱230.84	₱230.84
	₱109.62	₱1,096.20
	₱96.86	₱9,686.00
	₱92.80	₱46,400.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Toshiba
Kategorya ng Produkto:	Mga MOSFET
RoHS:
Teknolohiya:	Si
Isitilo ng Mounting:	Through Hole
Package / Case:	TO-3P
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	900 V
Id - Continuous Drain Current:	9 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	1.3 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2.5 V
Qg - Gate Charge:	46 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	250 W
Channel Mode:	Enhancement
Pangalang pangkalakal:	MOSVIII
Packaging:	Tray
Brand:	Toshiba
Kumpigurasyon:	Single
Bansa ng Pag-assemble:	CN
Bansa ng Diffusion:	JP
Bansang Pinagmulan:	CN
Tagal ng Pagbagsak:	35 ns
Uri ng Produkto:	MOSFETs
Tagal ng Pagtaas:	40 ns
Series:	TK9J90E
Dami ng Pack ng Pabrika:	25
Subcategory:	Transistors
Uri ng Transistor:	1 N-Channel
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	140 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	80 ns
Timbang ng Unit:	1.600 g

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

TK9J90E,S1E Datasheet (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

π-MOS VIII MOSFETs

Toshiba π-MOS VIII MOSFETs are 10V gate drive single N-channel devices based on the Toshiba eighth-generation planar semiconductor process, which combines high levels of cell integration with optimized cell design. The technology supports reduced gate charge and capacitance compared to prior generations without losing the benefits of low R_DS(ON). Available with 800V and 900V ratings, these MOSFETs target applications such as flyback converters in LED lighting, supplementary power supplies, and other circuits that require current switching below 5.0A. These devices are offered in a standard TO-220 through-hole form factor and a surface-mounted DPAK package.