Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

C3M0160120K1

Name: Wolfspeed C3M0160120K1
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C3M0160120K1
Price: 423.4 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

941-C3M0160120K1

Mfr. #:

C3M0160120K1

Mfr.:

Wolfspeed

Paglalarawan:

SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial

Datasheet:

C3M0160120K1 Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa Wolfspeed C3M0160120K1

May Stock: 384

Stock:: 384 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱423.40	₱423.40
	₱244.18	₱2,441.80
	₱204.16	₱24,499.20
	₱175.74	₱89,627.40

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Wolfspeed
Kategorya ng Produkto:	Mga SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Isitilo ng Mounting:	Through Hole
Package / Case:	TO-247-4LP
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	1.2 kV
Id - Continuous Drain Current:	17.9 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	280 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 4 V, + 15 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3.8 V
Qg - Gate Charge:	32 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 40 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Pd - Power Dissipation:	103 W
Channel Mode:	Enhancement
Brand:	Wolfspeed
Kumpigurasyon:	Single
Bansa ng Pag-assemble:	Not Available
Bansa ng Diffusion:	Not Available
Bansang Pinagmulan:	CN
Tagal ng Pagbagsak:	12 ns
Forward Transconductance - Min:	4.6 S
Produkto:	MOSFETs
Uri ng Produkto:	SiC MOSFETS
Tagal ng Pagtaas:	9 ns
Dami ng Pack ng Pabrika:	30
Subcategory:	Transistors
Teknolohiya:	SiC
Uri ng Transistor:	1 N-Channel
Uri:	Silicon Carbide Power MOSFET
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	13 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	8 ns

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

C3M0160120K1 Datasheet (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-10-02 (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Mga TO-247-4 Low Profile 1200V SiC Power MOSFET

Nagtatampok ang mga Wolfspeed TO-247-4 Low Profile 1200V Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET ng high-speed switching na may mabababang capacitance at mataas na blocking voltage na may mababang on-resistance. Binabawasan ng mga power MOSFET na ito ang mga switching loss at cooling requirement, at nami-minimize ang gate ringing. Ang mga 1200V SiC power MOSFET ay may mabilis na intrinsic diode na may mababang reverse recovery (Q_rr). Napapataas ng mga power MOSFET na ito ang power density at system switching frequency. Ang 1200V SiC power MOSFET ay nasa pinahusay na mga package na may hiwalay na mga driver source pin at available sa mas mababang profile na TO-247-4 package body. Halogen-free at RoHS-compliant ang mga power MOSFET na ito. Kasama sa mga karaniwang pinaggagamitan ang motor control, mga EV battery charger, high voltage DC/DC converter, solar/ESS, UPS, at enterprise PSU.

Mga 1,200V Silicon Carbide Power MOSFET

Isini-set ng mga Wolfspeed 1200V Silicon Carbide Power MOSFET ang standard para sa performance, katatagan, at design na madaling gamitin. Ang mga Wolfspeed MOSFET ay may fast switching at low switching loss capabilities, kaya makakatiyak na mas mapapahusay ng mga ito ang system efficiency, power density, at overall BOM cost kumpara sa mga kasalukuyang silicon MOSFET at IGBT.

Silicon Carbide 1200V MOSFETs & Diodes

Wolfspeed Silicon Carbide (SiC) 1200V MOSFETs and Diodes create a powerful combination of higher efficiency in demanding applications. These MOSFETs and Schottky diodes are designed for high-power applications. The 1200V SiC MOSFETs feature stable Rds(on) over-temperature and avalanche ruggedness. These MOSFETs are rugged body diodes that do not require external diodes and are easier to drive as these offer a 15V gate drive. The 1200V SiC MOSFETs improve system-level efficiency, lower switching and conduction losses, and improve system-level power density.