Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

FDMS86180

Name: onsemi FDMS86180
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMS86180
Price: 349.74 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

512-FDMS86180

Mfr. #:

FDMS86180

Mfr.:

onsemi

Paglalarawan:

MOSFETs 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET

Datasheet:

FDMS86180 Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa onsemi FDMS86180

May Stock: 2,141

Stock:: 2,141 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 44 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Matagal na lead time na iniulat sa produktong ito.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Packaging:

Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 3000)

Cut Tape

MouseReel™ (+₱350.00)

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	₱349.74	₱349.74
	₱243.02	₱2,430.20
	₱175.74	₱17,574.00
	₱175.16	₱87,580.00
	₱163.56	₱163,560.00
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 3000)
	₱163.56	₱490,680.00

† ₱350.00 Idaragdag at kakalkulahin sa iyong shopping cart ang bayarin sa MouseReel™ Hindi makakansela at maisasauli ang mga order na MouseReel™ ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	onsemi
Kategorya ng Produkto:	Mga MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Teknolohiya:	Si
Isitilo ng Mounting:	SMD/SMT
Package / Case:	Power-56-8
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	100 V
Id - Continuous Drain Current:	151 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	2.4 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2 V
Qg - Gate Charge:	84 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	138 W
Channel Mode:	Enhancement
Pangalang pangkalakal:	PowerTrench
Packaging:	Reel
Packaging:	Cut Tape
Packaging:	MouseReel
Brand:	onsemi
Kumpigurasyon:	Single
Bansa ng Pag-assemble:	PH
Bansa ng Diffusion:	Not Available
Bansang Pinagmulan:	KR
Tagal ng Pagbagsak:	7 ns
Forward Transconductance - Min:	144 S
Uri ng Produkto:	MOSFETs
Tagal ng Pagtaas:	12 ns
Series:	FDMS86180
Dami ng Pack ng Pabrika:	3000
Subcategory:	Transistors
Uri ng Transistor:	1 N-Channel
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	30 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	24 ns
Timbang ng Unit:	122.136 mg

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

FDMS86180 Datasheet (PDF)

Images

Dimensional Outline Drawing (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs

onsemi Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs are 100V N-channel MV MOSFETs developed using an advanced PowerTrench process that integrates Shielded Gate Technology. These MOSFETs minimize on-state resistance (RDS_ON) and reverse recovery charge (Qrr) to deliver superior switching performance and efficiency. The small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr), and Figure of Merit (FOM) ensure fast switching for synchronous rectification applications. These devices have little to no voltage overshoot, reduces voltage ringing, and lowers EMI for applications requiring a 100V-rated MOSFET such as power supplies and motor drives. The power density of these MOSFETs allows wider MOSFET de-rating. These devices are 100% UIL tested and are available in an MSL1 robust package design.