Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

GCMX010A120B3H1P

Name: SemiQ GCMX010A120B3H1P
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX010A120B3H1P
Price: 7880.46 PHP
Availability: OutOfStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

148-GCMX010A120B3H1P

Mfr. #:

GCMX010A120B3H1P

Mfr.:

SemiQ

Paglalarawan:

MOSFET Modules 1200V, 10mohm SiC MOSFET Full Bridge Module

Lifecycle:

Bagong Produkto:

Bago mula sa manufacturer na ito.

Datasheet:

GCMX010A120B3H1P Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa SemiQ GCMX010A120B3H1P

Availability

Stock:: Hindi Naka-stock

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: Humiling ng Quote sa Paghahatid

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱7,880.46	₱7,880.46
	₱6,857.92	₱68,579.20
	₱6,500.06	₱650,006.00
500	Quote

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	SemiQ
Kategorya ng Produkto:	Mga MOSFET Module
RoHS:
Teknolohiya:	SiC
Isitilo ng Mounting:	Press Fit
Package / Case:	B3
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	4 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	1.2 kV
Id - Continuous Drain Current:	201 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	8.9 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	4 V
Minimum na Operating Temperature:	- 40 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	600 W
Series:	GCMX
Packaging:	Bulk
Brand:	SemiQ
Bansa ng Pag-assemble:	Not Available
Bansa ng Diffusion:	Not Available
Bansang Pinagmulan:	CN
Tagal ng Pagbagsak:	15 ns
Taas:	15.2 mm
Haba:	62.8 mm
Produkto:	Modules
Uri ng Produkto:	MOSFET Modules
Tagal ng Pagtaas:	9 ns
Dami ng Pack ng Pabrika:	20
Subcategory:	Discrete and Power Modules
Uri:	Full Bridge Module
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	50 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	32 ns
Vf - Forward Voltage:	3.9 V
Lapad:	56.7 mm

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

GCMX010A120B3H1P Datasheet (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Mga GCMX 1200V SiC MOSFET Full-Bridge Module

Ang mga SemiQ GCMX 1200V SiC MOSFET Full-Bridge Module ay nag-aalok ng mabababang switching loss, mababang junction-to-case na thermal resistance, at napakatatag at madaling pag-mount. Direktang imina-mount ng mga module na ito ang heatsink (isolated na package) at may Kelvin reference para sa stable na operasyon. Ang lahat ng piyesa ay na-test nang husto para makayanan ang mga voltage na lampas 1350V. Ang naiibang katangian ng mga module na ito ay ang matatag na 1200V na drain-source voltage. Ang mga GCMX full-bridge module ay gumagana sa 175°C na junction temperature at RoHS-compliant. Kasama sa mga karaniwang application ang mga photovoltaic inverter, mga charger ng baterya, mga sistema ng pag-iimbak ng enerhiya, at mga high-voltage na DC-to-DC converter.