Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

May Nakikitang Error?

IKW30N65ET7XKSA1

Name: Infineon IKW30N65ET7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW30N65ET7XKSA1
Price: 286.52 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

726-IKW30N65ET7XKSA1

Mfr. #:

IKW30N65ET7XKSA1

Mfr.:

Infineon Technologies

Paglalarawan:

IGBTs 650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

Datasheet:

IKW30N65ET7XKSA1 Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa Infineon Technologies IKW30N65ET7XKSA1

May Stock: 1,511

Stock:: 1,511 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 26 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱286.52	₱286.52
	₱187.34	₱1,873.40
	₱146.74	₱14,674.00
	₱122.38	₱58,742.40
	₱113.68	₱136,416.00
	₱106.14	₱280,209.60

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Infineon
Kategorya ng Produkto:	Mga IGBT
RoHS:
Teknolohiya:	Si
Package / Case:	TO-247-3
Isitilo ng Mounting:	Through Hole
Kumpigurasyon:	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1.35 V
Maximum na Gate Emitter Voltage:	- 20 V, 20 V
Tuloy-tuloy na Collector Current sa 25 C:	60 A
Pd - Power Dissipation:	188 W
Minimum na Operating Temperature:	- 40 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Series:	IGBT7 T7
Packaging:	Tube
Brand:	Infineon Technologies
Bansa ng Pag-assemble:	CN
Bansa ng Diffusion:	Not Available
Bansang Pinagmulan:	DE
Gate-Emitter Leakage Current:	100 nA
Uri ng Produkto:	IGBT Transistors
Dami ng Pack ng Pabrika:	240
Subcategory:	IGBTs
Pangalang pangkalakal:	TRENCHSTOP
Mga Alias ng # ng Piyesa :	IKW30N65ET7 SP005348289

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

IKW30N65ET7XKSA1 Datasheet (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Low Loss Duopack IGBTs

Infineon Technologies Low Loss Duopack IGBTs offer a robust humidity design with Trenchstop™ and Fieldstop™ technology. They feature a very soft, fast-recovery anti-parallel diode, short tail current, and very low V_CEsat.

IGBT7 Discretes

Infineon Technologies IGBT7 Discretes are the 7th generation of TRENCHSTOP™ IGBTs, created with micro-pattern trench technology. The advanced technology delivers unparalleled control and performance, resulting in significant loss reduction, improved efficiency, and increased power density in applications.