IKW40N120T2

Infineon Technologies
726-IKW40N120T2
IKW40N120T2

Mfr.:

Paglalarawan:
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A

Lifecycle:
NRND:
Hindi inirerekomenda para sa mga bagong disenyo.
ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

May Stock: 1,204

Stock:
1,204 Maaaring Ipadala Agad
Lead-Time ng Pabrika:
26 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.
Minimum: 1   Mga Multiple: 1
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
₱420.50 ₱420.50
₱336.98 ₱3,369.80
₱272.60 ₱27,260.00
₱241.86 ₱116,092.80
₱214.02 ₱256,824.00

Alternatibong Packaging

Mfr. # ng Piyesa:
Packaging:
Tube
Availability:
May Stock
Presyo:
₱443.12
Min:
1

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
Infineon
Kategorya ng Produkto: Mga IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.75 V
- 20 V, 20 V
75 A
480 W
- 40 C
+ 175 C
Trenchstop IGBT2
Tube
Brand: Infineon Technologies
Bansa ng Pag-assemble: CN
Bansa ng Diffusion: Not Available
Bansang Pinagmulan: AT
Gate-Emitter Leakage Current: 200 nA
Uri ng Produkto: IGBT Transistors
Dami ng Pack ng Pabrika: 240
Subcategory: IGBTs
Pangalang pangkalakal: TRENCHSTOP
Mga Alias ng # ng Piyesa : IKW4N12T2XK SP000244962 IKW40N120T2FKSA1
Timbang ng Unit: 38 g
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

1200V Gen8 IGBTs

Infineon 1200V Gen8 IGBTs feature trench gate field stop technology delivered in industry standard TO-247 packages to provide best-in-class performance for industrial and energy-saving applications. The Gen8 technology offers softer turn-off characteristics ideal for motor drive applications, minimizing dv/dt to reduce EMI, and over-voltage, increasing reliability and ruggedness. Infineon 1200V Gen8 IGBTs have current ratings from 8A up to 60A with typical VCE(ON) of 1.7V, and a short-circuit rating of 10µs to reduce power dissipation, resulting in increased power density and robustness. Using thin wafer technology, 1200V Gen8 IGBTs deliver improved thermal resistance and maximum junction temperature up to +175°C.