Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

May Nakikitang Error?

IMYH200R050M1HXKSA1

Name: Infineon IMYH200R050M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMYH200R050M1HXK
Price: 1249.9 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

726-IMYH200R050M1HXK

Mfr. #:

IMYH200R050M1HXKSA1

Mfr.:

Infineon Technologies

Paglalarawan:

SiC MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package

Datasheet:

IMYH200R050M1HXKSA1 Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa Infineon Technologies IMYH200R050M1HXKSA1

May Stock: 10

Stock:: 10

Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Inoorder:: 1,200
Lead-Time ng Pabrika:: 30

(na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Matagal na lead time na iniulat sa produktong ito.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱1,249.90	₱1,249.90
	₱945.98	₱9,459.80
	₱893.78	₱89,378.00
	₱850.86	₱408,412.80

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Infineon
Kategorya ng Produkto:	Mga SiC MOSFET
RoHS:
Isitilo ng Mounting:	Through Hole
Package / Case:	TO-247-4
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	2 kV
Id - Continuous Drain Current:	48 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	64 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3.5 V
Qg - Gate Charge:	82 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	348 W
Channel Mode:	Enhancement
Pangalang pangkalakal:	CoolSIC
Brand:	Infineon Technologies
Kumpigurasyon:	Single
Bansa ng Pag-assemble:	MY
Bansa ng Diffusion:	AT
Bansang Pinagmulan:	AT
Tagal ng Pagbagsak:	12 ns
Forward Transconductance - Min:	10 S
Packaging:	Tube
Uri ng Produkto:	SiC MOSFETS
Tagal ng Pagtaas:	9 ns
Dami ng Pack ng Pabrika:	240
Subcategory:	Transistors
Teknolohiya:	SiC
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	36 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	17 ns
Mga Alias ng # ng Piyesa :	IMYH200R050M1H SP005427372

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

IMYH200R050M1HXKSA1 Datasheet (PDF)

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

2000V CoolSiC™ MOSFETs

Infineon Technologies 2000V CoolSiC™ MOSFETs are trench MOSFETs in a TO-247PLUS-4-HCC package. These MOSFETs are designed to deliver increased power density without sacrificing the system's reliability, even under demanding high-voltage and switching frequency conditions. The low power losses of CoolSiC™ technology provide increased reliability using the .XT interconnection technology and enable top efficiencies in various applications. The 2000V MOSFETs feature a benchmark gate threshold voltage of 4.5V and offer very-low switching losses. Typical applications include energy storage systems, EV charging, string inverter, and solar power optimizer.