Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

May Nakikitang Error?

IPI086N10N3 G

Name: Infineon IPI086N10N3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPI086N10N3G
Price: 127.6 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

726-IPI086N10N3G

Mfr. #:

IPI086N10N3 G

Mfr.:

Infineon Technologies

Paglalarawan:

MOSFETs N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3

Datasheet:

IPI086N10N3 G Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa Infineon Technologies IPI086N10N3 G

May Stock: 1,182

Stock:: 1,182 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 8 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱127.60	₱127.60
	₱62.06	₱620.60
	₱55.56	₱5,556.00
	₱44.37	₱22,185.00
	₱41.35	₱41,350.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Infineon
Kategorya ng Produkto:	Mga MOSFET
RoHS:
Teknolohiya:	Si
Isitilo ng Mounting:	Through Hole
Package / Case:	TO-262-3
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	100 V
Id - Continuous Drain Current:	80 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	8.2 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2.7 V
Qg - Gate Charge:	55 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Pd - Power Dissipation:	125 W
Channel Mode:	Enhancement
Pangalang pangkalakal:	OptiMOS
Packaging:	Tube
Brand:	Infineon Technologies
Kumpigurasyon:	Single
Bansa ng Pag-assemble:	CN
Bansa ng Diffusion:	MY
Bansang Pinagmulan:	MY
Tagal ng Pagbagsak:	8 ns
Uri ng Produkto:	MOSFETs
Tagal ng Pagtaas:	42 ns
Series:	OptiMOS 3
Dami ng Pack ng Pabrika:	500
Subcategory:	Transistors
Uri ng Transistor:	1 N-Channel
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	31 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	18 ns
Mga Alias ng # ng Piyesa :	SP000683070 IPI86N1N3GXK IPI086N10N3GXKSA1
Timbang ng Unit:	2.387 g

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

IPI086N10N3 G Datasheet (PDF)

Product Catalogs

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs

Infineon IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed, ruggedized device design, and 175°C junction operating temperature that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.