KTDM4G4B826BGIEAT

SMARTsemi
473-M4G4B826BGIEAT
KTDM4G4B826BGIEAT

Mfr.:

Paglalarawan:
DRAM DRAM DDR4 4GB 512MX8 2666Mbps 1.2V 78-FBGA Industrial

ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

May Stock: 162

Stock:
162 Maaaring Ipadala Agad
Minimum: 1   Mga Multiple: 1
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
₱678.02 ₱678.02
₱629.88 ₱6,298.80
₱610.74 ₱15,268.50
₱595.66 ₱29,783.00
₱581.16 ₱58,116.00
₱562.60 ₱118,146.00
₱548.10 ₱230,202.00
₱534.18 ₱560,889.00
2,520 Quote

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
SMART
Kategorya ng Produkto: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR4
4 Gbit
8 bit
1.333 GHz
FBGA-78
512 M x 8
1.14 V
1.26 V
- 40 C
+ 85 C
KTDM
Tray
Brand: SMARTsemi
Bansa ng Pag-assemble: Not Available
Bansa ng Diffusion: Not Available
Bansang Pinagmulan: TW
Maselan sa Moisture: Yes
Isitilo ng Mounting: SMD/SMT
Uri ng Produkto: DRAM
Dami ng Pack ng Pabrika: 210
Subcategory: Memory & Data Storage
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of VDD = 1.2V ± 5%, and VPP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).