Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

NGTB25N120FL3WG

Name: onsemi NGTB25N120FL3WG
Brand: onsemi
SKU: 863-NGTB25N120FL3WG
Price: 437.32 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

863-NGTB25N120FL3WG

Mfr. #:

NGTB25N120FL3WG

Mfr.:

onsemi

Paglalarawan:

IGBTs IGBT 1200V 25A FS3 SOLAR/UPS

Datasheet:

NGTB25N120FL3WG Datasheet

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa onsemi NGTB25N120FL3WG

May Stock: 129

Stock:: 129 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 12 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱437.32	₱437.32
	₱255.20	₱2,552.00
	₱214.02	₱25,682.40
	₱212.86	₱114,944.40

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	onsemi
Kategorya ng Produkto:	Mga IGBT
RoHS:
Teknolohiya:	Si
Package / Case:	TO-247-3
Isitilo ng Mounting:	Through Hole
Kumpigurasyon:	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1.7 V
Maximum na Gate Emitter Voltage:	- 20 V, 20 V
Tuloy-tuloy na Collector Current sa 25 C:	50 A
Pd - Power Dissipation:	349 W
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Series:	NGTB25N120FL3
Packaging:	Tube
Brand:	onsemi
Bansa ng Pag-assemble:	VN
Bansa ng Diffusion:	CZ
Bansang Pinagmulan:	VN
Gate-Emitter Leakage Current:	200 nA
Uri ng Produkto:	IGBT Transistors
Dami ng Pack ng Pabrika:	30
Subcategory:	IGBTs
Timbang ng Unit:	4.083 g

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

NGTB25N120FL3WG Datasheet

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NGTB25N/NGTB40N Isolated Gate Bipolar Transistors

onsemi NGTB25N and NGTB40N Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) feature a robust and cost-effective Ultra Field Stop Trench construction. Low switch losses and an ultra-fast recovery diode make them ideal for high frequency solar, UPS and inverter welder applications. Incorporated into these onsemi devices is a soft and fast co-packaged free wheeling diode with a low forward voltage.