Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

PJP125N06SA-AU_T0_006A1

Name: Panjit PJP125N06SA-AU_T0_006A1
Brand: Panjit
SKU: 241-PJP125N06SAAU6A1
Price: 156.02 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

241-PJP125N06SAAU6A1

Mfr. #:

PJP125N06SA-AU_T0_006A1

Mfr.:

Panjit

Paglalarawan:

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 60 V, 215 A

Lifecycle:

Bagong Produkto:

Bago mula sa manufacturer na ito.

Datasheet:

PJP125N06SA-AU_T0_006A1 Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa Panjit PJP125N06SA-AU_T0_006A1

May Stock: 1,980

Stock:: 1,980 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 20 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱156.02	₱156.02
	₱77.14	₱771.40
	₱69.02	₱6,902.00
	₱55.56	₱27,780.00
	₱52.20	₱52,200.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Panjit
Kategorya ng Produkto:	Mga MOSFET
RoHS:
Teknolohiya:	Si
Isitilo ng Mounting:	Through Hole
Package / Case:	TO-220AB-3
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	60 V
Id - Continuous Drain Current:	215 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	2.6 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
Qg - Gate Charge:	82 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Pd - Power Dissipation:	214 W
Channel Mode:	Enhancement
Kuwalipikasyon:	AEC-Q101
Packaging:	Tube
Brand:	Panjit
Kumpigurasyon:	Single
Bansa ng Pag-assemble:	Not Available
Bansa ng Diffusion:	Not Available
Bansang Pinagmulan:	CN
Tagal ng Pagbagsak:	37 ns
Uri ng Produkto:	MOSFETs
Tagal ng Pagtaas:	26 ns
Dami ng Pack ng Pabrika:	50
Subcategory:	Transistors
Uri ng Transistor:	1 N-Channel
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	66 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	13 ns
Timbang ng Unit:	2.095 g

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

PJP125N06SA-AU_T0_006A1 Datasheet (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs offer low reverse transfer capacitance in an AEC-Q101-qualified DFN5060-8L package. Operating within a -55°C to +150°C junction temperature range, these MOSFETs provide a maximum power dissipation range from 20W to 50W and single pulse avalanche ratings (28A current, 39mJ energy). Applications include automotive LED lighting, wireless chargers, and DC/DC converters.