Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

R8011KNZ4C13

Name: ROHM Semiconductor R8011KNZ4C13
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R8011KNZ4C13
Price: 461.1 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

755-R8011KNZ4C13

Mfr. #:

R8011KNZ4C13

Mfr.:

ROHM Semiconductor

Paglalarawan:

MOSFETs TO247 800V N CH 3.5A

Lifecycle:

Bagong Produkto:

Bago mula sa manufacturer na ito.

Datasheet:

R8011KNZ4C13 Datasheet

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa ROHM Semiconductor R8011KNZ4C13

May Stock: 600

Stock:: 600

Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Inoorder:: 600
Lead-Time ng Pabrika:: 20

(na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱461.10	₱461.10
	₱318.42	₱3,184.20
	₱245.92	₱24,592.00
	₱229.68	₱137,808.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	ROHM Semiconductor
Kategorya ng Produkto:	Mga MOSFET
Teknolohiya:	Si
Isitilo ng Mounting:	Through Hole
Package / Case:	TO-247G-3
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	800 V
Id - Continuous Drain Current:	11 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	450 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	4.5 V
Qg - Gate Charge:	37 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	139 W
Channel Mode:	Enhancement
Packaging:	Tube
Brand:	ROHM Semiconductor
Kumpigurasyon:	Single
Bansa ng Pag-assemble:	Not Available
Bansa ng Diffusion:	Not Available
Bansang Pinagmulan:	CN
Tagal ng Pagbagsak:	25 ns
Forward Transconductance - Min:	2.5 S
Uri ng Produkto:	MOSFETs
Tagal ng Pagtaas:	25 ns
Dami ng Pack ng Pabrika:	600
Subcategory:	Transistors
Uri ng Transistor:	1 N-Channel
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	70 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	25 ns

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

R8011KNZ4C13 Datasheet

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Small Signal Dual Channel MOSFETs

ROHM Semiconductor Small Signal Dual Channel MOSFETs feature low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are RoHS compliant and include Pb-free plating. The dual channel MOSFETs operate from -55°C to 150°C temperature range. These MOSFETs are used in motor drives and switching applications.