Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

RGS80TSX2DGC11

Name: ROHM Semiconductor RGS80TSX2DGC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGS80TSX2DGC11
Price: 760.96 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

755-RGS80TSX2DGC11

Mfr. #:

RGS80TSX2DGC11

Mfr.:

ROHM Semiconductor

Paglalarawan:

IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 40A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT

Datasheet:

RGS80TSX2DGC11 Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa ROHM Semiconductor RGS80TSX2DGC11

May Stock: 839

Stock:: 839 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 22 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱760.96	₱760.96
	₱461.10	₱4,611.00
	₱435.00	₱43,500.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	ROHM Semiconductor
Kategorya ng Produkto:	Mga IGBT
RoHS:
REACH - SVHC:
Teknolohiya:	Si
Package / Case:	TO-247N-3
Isitilo ng Mounting:	Through Hole
Kumpigurasyon:	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage:	2.1 V
Maximum na Gate Emitter Voltage:	30 V
Tuloy-tuloy na Collector Current sa 25 C:	80 A
Pd - Power Dissipation:	555 W
Minimum na Operating Temperature:	- 40 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Packaging:	Tube
Brand:	ROHM Semiconductor
Bansa ng Pag-assemble:	Not Available
Bansa ng Diffusion:	Not Available
Bansang Pinagmulan:	TH
Gate-Emitter Leakage Current:	500 nA
Uri ng Produkto:	IGBT Transistors
Dami ng Pack ng Pabrika:	450
Subcategory:	IGBTs
Mga Alias ng # ng Piyesa :	RGS80TSX2D

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

RGS80TSX2DGC11 Datasheet (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-10-15 (PDF)

Specification Sheets

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

RGSx0TSX2x Field Stop Trench IGBTs

ROHM Semiconductor RGSx0TSX2x Field Stop Trench IGBTs are 10µs SCSOA (Short Circuit Safety Operating Area) guaranteed Insulated Gate Bipolar Transistors, suitable for general inverter, UPS, PV inverters, and power conditioner applications. The RGSx0TSX2x IGBTs offer low conduction loss that contributes to reduced size and improved efficiency. These devices utilize original trench-gate and thin-wafer technologies. These technologies help achieve low collector-emitter saturation voltage (V_CE(sat)) with reduced switching losses. These IGBTs provide increased energy savings in a variety of high voltage and high current applications.