Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

SCS212AGC17

Name: ROHM Semiconductor SCS212AGC17
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCS212AGC17
Price: 377 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

755-SCS212AGC17

Mfr. #:

SCS212AGC17

Mfr.:

ROHM Semiconductor

Paglalarawan:

SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 12A, 2nd Gen

Lifecycle:

NRND:

Hindi inirerekomenda para sa mga bagong disenyo.

Datasheet:

SCS212AGC17 Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa ROHM Semiconductor SCS212AGC17

May Stock: 313

Stock:: 313 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 21 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ang mga dami na higit pa sa 313 ay sasailalim sa minimum na mga kinakailangan sa pag-order.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱377.00	₱377.00
	₱207.64	₱2,076.40
	₱190.24	₱19,024.00
500	Quote

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	ROHM Semiconductor
Kategorya ng Produkto:	Mga SiC Schottky Diode
RoHS:
Isitilo ng Mounting:	Through Hole
Package / Case:	TO-220ACG-2
Kumpigurasyon:	Single
If - Forward Current:	12 A
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage:	650 V
Vf - Forward Voltage:	1.55 V
Ifsm - Forward Surge Current:	43 A
Ir - Reverse Current:	240 uA
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Packaging:	Tube
Brand:	ROHM Semiconductor
Bansa ng Pag-assemble:	Not Available
Bansa ng Diffusion:	Not Available
Bansang Pinagmulan:	CN
Pd - Power Dissipation:	93 W
Uri ng Produkto:	SiC Schottky Diodes
Dami ng Pack ng Pabrika:	1000
Subcategory:	Diodes & Rectifiers
Vr - Reverse Voltage:	650 V
Mga Alias ng # ng Piyesa :	SCS212AG

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

SCS212AGC17 Datasheet (PDF)

Specification Sheets

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

TO-220ACG SiC Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor TO-220ACG Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) feature a reverse voltage range of 650V to 1200V and a continuous reverse current range of 1.2µA to 20.0µA. SiC technology enables these devices to maintain a low capacitive charge (Q_C), reducing switching loss while enabling high-speed switching operation. In addition, unlike Si-based fast-recovery diodes, where the reverse recovery time increases along with temperature, SiC devices maintain constant characteristics, resulting in better performance.