Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

SCT4036DEC11

Name: ROHM Semiconductor SCT4036DEC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4036DEC11
Price: 776.04 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

755-SCT4036DEC11

Mfr. #:

SCT4036DEC11

Mfr.:

ROHM Semiconductor

Paglalarawan:

SiC MOSFETs Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET

Lifecycle:

Bagong Produkto:

Bago mula sa manufacturer na ito.

Datasheet:

SCT4036DEC11 Datasheet

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa ROHM Semiconductor SCT4036DEC11

May Stock: 439

Stock:: 439 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 27 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱776.04	₱776.04
	₱470.96	₱4,709.60
	₱452.40	₱45,240.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	ROHM Semiconductor
Kategorya ng Produkto:	Mga SiC MOSFET
Isitilo ng Mounting:	Through Hole
Package / Case:	TO-247N-3
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	750 V
Id - Continuous Drain Current:	42 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	47 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	4.8 V
Qg - Gate Charge:	72 nC
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Pd - Power Dissipation:	136 W
Channel Mode:	Enhancement
Brand:	ROHM Semiconductor
Kumpigurasyon:	Single
Bansa ng Pag-assemble:	Not Available
Bansa ng Diffusion:	Not Available
Bansang Pinagmulan:	TH
Tagal ng Pagbagsak:	11 ns
Forward Transconductance - Min:	10 S
Packaging:	Tube
Produkto:	Power MOSFETs
Uri ng Produkto:	SiC MOSFETS
Tagal ng Pagtaas:	22 ns
Dami ng Pack ng Pabrika:	450
Subcategory:	Transistors
Teknolohiya:	SiC
Uri ng Transistor:	1 N-Channel
Uri:	SiC Power MOSFET
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	28 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	13 ns

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

SCT4036DEC11 Datasheet

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [R_DS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (I_D) and source current (I_S) (T_C=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.