Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

May Nakikitang Error?

SIJH5100E-T1-GE3

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

78-SIJH5100E-T1-GE3

Mfr. #:

SIJH5100E-T1-GE3

Mfr.:

Vishay / Siliconix

Paglalarawan:

MOSFETs PWRPK 100V N-CH MOSFET

Datasheet:

SIJH5100E-T1-GE3 Datasheet

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa Vishay / Siliconix SIJH5100E-T1-GE3

Restriksyon sa Paghahatid:

Kasalukuyang hindi ibinebenta ng Mouser ang produktong ito sa inyong rehiyon.

Availability

Stock:: May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Vishay
Kategorya ng Produkto:	Mga MOSFET
Restriksyon sa Paghahatid:	Kasalukuyang hindi ibinebenta ng Mouser ang produktong ito sa inyong rehiyon.
RoHS:
Teknolohiya:	Si
Isitilo ng Mounting:	SMD/SMT
Package / Case:	PowerPAK-4
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	100 V
Id - Continuous Drain Current:	277 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	1.89 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	4 V
Qg - Gate Charge:	85 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Pd - Power Dissipation:	333 W
Channel Mode:	Enhancement
Packaging:	Reel
Packaging:	Cut Tape
Brand:	Vishay / Siliconix
Kumpigurasyon:	Single
Bansa ng Pag-assemble:	Not Available
Bansa ng Diffusion:	Not Available
Bansang Pinagmulan:	CN
Tagal ng Pagbagsak:	21 ns
Forward Transconductance - Min:	120 S
Uri ng Produkto:	MOSFETs
Tagal ng Pagtaas:	17 ns
Dami ng Pack ng Pabrika:	2000
Subcategory:	Transistors
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	41 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	24 ns

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

SIJH5100E-T1-GE3 Datasheet

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SiSS52DN & SiSS54DN N-Ch TrenchFET® Gen V MOSFETs

Vishay / Siliconix SiSS52DN and SiSS54DN N-Channel TrenchFET Gen V Power MOSFETs enable higher power density with very low R_DS(on). These power MOSFETs offer 30V V_DS and very low R_DS x Q_g Figure-of-Merit (FOM). The Vishay / Siliconix SiSS52DN N-Channel MOSFET typically features 162A I_D and 19.9nC Q_g. Meanwhile, the SiSS54DN N-Channel MOSFET typically features 185.6A I_D and 21nC Q_g. This 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested MOSFET comes in a thermally enhanced compact PowerPAK® 1212-8S package with a single configuration. Typical applications include DC/DC converters, Point-of-Loads (POLs), synchronous rectification, power and load switches, and battery management.