Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

May Nakikitang Error?

SISF02DN-T1-GE3

Name: Vishay SISF02DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SISF02DN-T1-GE3
Price: 140.94 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

78-SISF02DN-T1-GE3

Mfr. #:

SISF02DN-T1-GE3

Mfr.:

Vishay Semiconductors

Paglalarawan:

MOSFETs PPAK1212 2NCH 25V 30.5A

Datasheet:

SISF02DN-T1-GE3 Datasheet

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa Vishay Semiconductors SISF02DN-T1-GE3

May Stock: 3,509

Stock:: 3,509 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 9 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱140.94	₱140.94
	₱80.04	₱800.40
	₱59.74	₱5,974.00
Buo Ammo Pack (Mag-order sa multiple ng 3000)
	₱52.55	₱157,650.00
	₱37.24	₱223,440.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Vishay
Kategorya ng Produkto:	Mga MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Teknolohiya:	Si
Isitilo ng Mounting:	SMD/SMT
Package / Case:	PowerPAK-1212-8
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	30 V
Id - Continuous Drain Current:	40 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	2.15 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 16 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.1 V
Qg - Gate Charge:	51 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	52 W
Channel Mode:	Enhancement
Pangalang pangkalakal:	PowerPAK
Packaging:	Ammo Pack
Brand:	Vishay Semiconductors
Kumpigurasyon:	Single
Bansa ng Pag-assemble:	Not Available
Bansa ng Diffusion:	Not Available
Bansang Pinagmulan:	CN
Tagal ng Pagbagsak:	10 ns
Forward Transconductance - Min:	105 S
Uri ng Produkto:	MOSFETs
Tagal ng Pagtaas:	17 ns
Series:	SISF
Dami ng Pack ng Pabrika:	3000
Subcategory:	Transistors
Uri ng Transistor:	1 N-Channel
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	25 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	24 ns
Timbang ng Unit:	1 g

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

SISF02DN-T1-GE3 Datasheet

Application Notes

PCN

Product Change Notification (PDF)

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Integrated MOSFETs with Common Drain

Vishay Integrated MOSFETs with Common Drain are 1, 2, and 3-channels offering surface mounting. The Integrated MOSFETs feature N-channel, and N+P-channel options, as well as a breakdown voltage range of 20V to 200V. The Enhancement Mode MOSFETs have 6 or 8-pins, a power dissipation range of 1.5W to 69.4W, and on drain-source resistance of 2.15mΩ to 26mΩ.

Integrated MOSFET Solutions

Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density and efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance.