Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

May Nakikitang Error?

SISS54DN-T1-GE3

Name: Vishay SISS54DN-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SISS54DN-T1-GE3
Price: 142.68 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

78-SISS54DN-T1-GE3

Mfr. #:

SISS54DN-T1-GE3

Mfr.:

Vishay / Siliconix

Paglalarawan:

MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 51.1A

Datasheet:

SISS54DN-T1-GE3 Datasheet

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa Vishay / Siliconix SISS54DN-T1-GE3

May Stock: 18,292

Stock:: 18,292 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 5 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Packaging:

Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 3000)

Cut Tape

MouseReel™ (+₱350.00)

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	₱142.68	₱142.68
	₱92.22	₱922.20
	₱63.22	₱6,322.00
	₱50.29	₱25,145.00
	₱49.59	₱49,590.00
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 3000)
	₱46.98	₱140,940.00

† ₱350.00 Idaragdag at kakalkulahin sa iyong shopping cart ang bayarin sa MouseReel™ Hindi makakansela at maisasauli ang mga order na MouseReel™ ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Vishay
Kategorya ng Produkto:	Mga MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Teknolohiya:	Si
Isitilo ng Mounting:	SMD/SMT
Package / Case:	PowerPAK-1212-8S
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	30 V
Id - Continuous Drain Current:	185.6 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	1.06 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 12 V, 16 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2.2 V
Qg - Gate Charge:	47.5 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	65.7 W
Channel Mode:	Enhancement
Pangalang pangkalakal:	TrenchFET
Packaging:	Reel
Packaging:	Cut Tape
Packaging:	MouseReel
Brand:	Vishay / Siliconix
Kumpigurasyon:	Single
Bansa ng Pag-assemble:	Not Available
Bansa ng Diffusion:	Not Available
Bansang Pinagmulan:	CN
Tagal ng Pagbagsak:	7 ns
Forward Transconductance - Min:	117 S
Uri ng Produkto:	MOSFETs
Tagal ng Pagtaas:	7 ns
Series:	SISS
Dami ng Pack ng Pabrika:	3000
Subcategory:	Transistors
Uri ng Transistor:	TrenchFET Gen V Power MOSFET
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	28 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	12 ns

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

SISS54DN-T1-GE3 Datasheet

PCN

Product Change Notification (PDF)

Technical Resources

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiSS52DN & SiSS54DN N-Ch TrenchFET® Gen V MOSFETs

Vishay / Siliconix SiSS52DN and SiSS54DN N-Channel TrenchFET Gen V Power MOSFETs enable higher power density with very low R_DS(on). These power MOSFETs offer 30V V_DS and very low R_DS x Q_g Figure-of-Merit (FOM). The Vishay / Siliconix SiSS52DN N-Channel MOSFET typically features 162A I_D and 19.9nC Q_g. Meanwhile, the SiSS54DN N-Channel MOSFET typically features 185.6A I_D and 21nC Q_g. This 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested MOSFET comes in a thermally enhanced compact PowerPAK® 1212-8S package with a single configuration. Typical applications include DC/DC converters, Point-of-Loads (POLs), synchronous rectification, power and load switches, and battery management.

TrenchFET® Gen V Power MOSFETs with VDS

Vishay / Siliconix TrenchFET^® Gen V Power MOSFETs increase power conversion efficiency with a very low R_DS x Q_g figure-of-merit (FOM). The Gen V Power MOSFETs have 80V, 100V, and 150V drain-source breakdown voltage options. The Gen V Power MOSFETs are available in a PowerPAK^® 1212-8SH or PowerPAK SO-8 single package.