Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

T2G6000528-Q3

Name: Qorvo T2G6000528-Q3
Brand: Qorvo
SKU: 772-T2G6000528-Q3
Price: 5989.08 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

772-T2G6000528-Q3

Mfr. #:

T2G6000528-Q3

Mfr.:

Qorvo

Paglalarawan:

GaN FETs DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz

Datasheet:

T2G6000528-Q3 Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa Qorvo T2G6000528-Q3

May Stock: 375

Stock:: 375 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 20 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱5,989.08	₱5,989.08
	₱5,507.10	₱55,071.00
	₱4,370.88	₱109,272.00
	₱3,956.76	₱395,676.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Qorvo
Kategorya ng Produkto:	GaN FETs
RoHS:
Isitilo ng Mounting:	SMD/SMT
Package / Case:	NI-200
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Id - Continuous Drain Current:	650 mA
Pd - Power Dissipation:	12.5 W
Brand:	Qorvo
Kumpigurasyon:	Single
Bansa ng Pag-assemble:	Not Available
Bansa ng Diffusion:	Not Available
Bansang Pinagmulan:	US
Kit sa Pag-develop:	T2G6000528-Q3-EVB1, T2G6000528-Q3-EVB3, T2G6000528-Q3-EVB5
Gain:	15 dB
Maximum na Operating Frequency:	6 GHz
Minimum na Operating Frequency:	0 Hz
Maselan sa Moisture:	Yes
Output Power:	10 W
Packaging:	Tray
Uri ng Produkto:	GaN FETs
Series:	T2G6000528
Dami ng Pack ng Pabrika:	100
Subcategory:	Transistors
Teknolohiya:	GaN
Uri ng Transistor:	HEMT
Mga Alias ng # ng Piyesa :	T2G6000528 1099997
Timbang ng Unit:	7.396 g

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

T2G6000528-Q3 Datasheet (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

T2G GaN HEMT Transistors

Qorvo T2G GaN HEMT Transistors are 15W to 30W (P3dB) discrete Gallium-Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) High Electron Mobility Transistors (HEMT) which operate from DC to 3.5GHz and 6.0GHz. These devices are constructed with Qorvo's proven TQGaN25 process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.