Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

TK380A65Y,S4X

Name: Toshiba TK380A65Y,S4X
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK380A65YS4X
Price: 168.78 PHP
Availability: OutOfStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

757-TK380A65YS4X

Mfr. #:

TK380A65Y,S4X

Mfr.:

Toshiba

Paglalarawan:

MOSFETs TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS

Datasheet:

TK380A65Y,S4X Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa Toshiba TK380A65Y,S4X

Availability

Stock:: Hindi Naka-stock

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: Humiling ng Quote sa Paghahatid

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱168.78	₱168.78
	₱84.10	₱841.00
	₱75.40	₱7,540.00
	₱60.90	₱30,450.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Toshiba
Kategorya ng Produkto:	Mga MOSFET
RoHS:
Teknolohiya:	Si
Isitilo ng Mounting:	Through Hole
Package / Case:	TO-220-3
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V
Id - Continuous Drain Current:	9.7 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	380 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	4 V
Qg - Gate Charge:	20 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	30 W
Channel Mode:	Enhancement
Pangalang pangkalakal:	DTMOSV
Packaging:	Tube
Brand:	Toshiba
Kumpigurasyon:	Single
Bansa ng Pag-assemble:	Not Available
Bansa ng Diffusion:	Not Available
Bansang Pinagmulan:	CN
Tagal ng Pagbagsak:	8.2 ns
Uri ng Produkto:	MOSFETs
Tagal ng Pagtaas:	23 ns
Dami ng Pack ng Pabrika:	50
Subcategory:	Transistors
Uri ng Transistor:	1 N-Channel
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	150 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	60 ns
Timbang ng Unit:	2 g

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

TK380A65Y,S4X Datasheet (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

DTMOSV Super Junction MOSFETs

Toshiba DTMOSV Super Junction MOSFETs are N-channel, deep trench semiconductor technology for high-efficient power MOSFETs. The DTMOSV operates with lower EMI noise, and a 17% reduction On-Resistance R_DS(ON) compared to the DTMOSIV MOSFETs. The DTMOSV has a deep trench etching process, that results in a narrowing of cell pitch, and a lowering of R_DS(ON) when compared with more conventional planar processes. DTMOSV Super Junction MOSFETs are ideal to improve performance and facilitate the design of power conversion applications. Applications include switching power supplies, power factor correction (PFC) designs, and LED lighting.