Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

TPH8R808QM,LQ

Name: Toshiba TPH8R808QM,LQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TPH8R808QMLQ
Price: 72.5 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

757-TPH8R808QMLQ

Mfr. #:

TPH8R808QM,LQ

Mfr.:

Toshiba

Paglalarawan:

MOSFETs 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 8.8mohm

Lifecycle:

Bagong Produkto:

Bago mula sa manufacturer na ito.

Datasheet:

TPH8R808QM,LQ Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa Toshiba TPH8R808QM,LQ

May Stock: 4,560

Stock:: 4,560 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱72.50	₱72.50
	₱45.70	₱457.00
	₱30.10	₱3,010.00
	₱23.43	₱11,715.00
	₱19.49	₱19,490.00
	₱18.27	₱91,350.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Toshiba
Kategorya ng Produkto:	Mga MOSFET
RoHS:
Teknolohiya:	Si
Isitilo ng Mounting:	SMD/SMT
Package / Case:	SOP-8
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	60 V, 80 V
Id - Continuous Drain Current:	79 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	8.8 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3.5 V
Qg - Gate Charge:	26 nC
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Pd - Power Dissipation:	109 W
Channel Mode:	Enhancement
Packaging:	Reel
Brand:	Toshiba
Kumpigurasyon:	Single
Bansa ng Pag-assemble:	Not Available
Bansa ng Diffusion:	Not Available
Bansang Pinagmulan:	MY
Tagal ng Pagbagsak:	8 ns
Uri ng Produkto:	MOSFETs
Tagal ng Pagtaas:	10 ns
Series:	UMOS9-H
Subcategory:	Transistors
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	33 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	24 ns

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

TPH8R808QM,LQ Datasheet (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

UMOS9-H Silicon N-channel MOSFETs

Toshiba UMOS9-H Silicon N-channel MOSFETs are ideal for high-efficiency DC-to-DC converters, switching voltage regulators, and motor drivers. These MOSFETs boast a small gate charge, a small output charge, low drain-source on-resistance, and low leakage current. The UMOS9-H N-channel MOSFETs feature 80V drain-source voltage, ±20V gate-source voltage, and 175°C channel temperature. These MOSFETs also feature ±0.1µA gate leakage current, 10µA drain cut-off current, and a -55°C to 175°C storage temperature range. The UMOS9-H N-channel MOSFETs are RoHS-compliant and come in a 0.108g 2-5W1A (SOP Advance (N)) package.