Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

SCTWA70N120G2V-4

Name: STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTWA70N120G2V-4
Price: 1871.66 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

511-SCTWA70N120G2V-4

Mfr. #:

SCTWA70N120G2V-4

Mfr.:

STMicroelectronics

Paglalarawan:

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package

Kumpletuhin ang Iyong Disenyo

Datasheet:

SCTWA70N120G2V-4 Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4

May Stock: 28

Stock:: 28 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 22 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ang mga dami na higit pa sa 28 ay sasailalim sa minimum na mga kinakailangan sa pag-order.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱1,871.66	₱1,871.66
	₱1,372.28	₱13,722.80

Katulad na Produkto

Mfr.:

STMicroelectronics

Mfr. #:

SCT020W120G3-4AG

Paglalarawan:

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

Lifecycle:

Bago Sa Mouser

Paghambingin ang Kasalukuyang Piyesa

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	STMicroelectronics
Kategorya ng Produkto:	Mga SiC MOSFET
RoHS:
Isitilo ng Mounting:	Through Hole
Package / Case:	HIP247-4
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	1.2 kV
Id - Continuous Drain Current:	91 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	30 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2.45 V
Qg - Gate Charge:	150 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 200 C
Pd - Power Dissipation:	547 W
Channel Mode:	Enhancement
Brand:	STMicroelectronics
Kumpigurasyon:	Single
Bansa ng Pag-assemble:	Not Available
Bansa ng Diffusion:	Not Available
Bansang Pinagmulan:	CN
Tagal ng Pagbagsak:	18 ns
Packaging:	Tube
Produkto:	SiC MOSFETS
Uri ng Produkto:	SiC MOSFETS
Tagal ng Pagtaas:	9 ns
Dami ng Pack ng Pabrika:	600
Subcategory:	Transistors
Teknolohiya:	SiC
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	36 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	15.5 ns