Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

BM3G005MUV-LBE2

Name: ROHM Semiconductor BM3G005MUV-LBE2
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BM3G005MUV-LBE2
Price: 936.12 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

755-BM3G005MUV-LBE2

Mfr. #:

BM3G005MUV-LBE2

Mfr.:

ROHM Semiconductor

Paglalarawan:

GaN FETs PMIC Power Switch/Driver, 650V, 5m, Low Side Nch

Lifecycle:

Bagong Produkto:

Bago mula sa manufacturer na ito.

Datasheet:

BM3G005MUV-LBE2 Datasheet

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa ROHM Semiconductor BM3G005MUV-LBE2

May Stock: 995

Stock:: 995 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 21 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱936.12	₱936.12
	₱724.42	₱7,244.20
	₱659.46	₱65,946.00
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 1000)
	₱596.82	₱596,820.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	ROHM Semiconductor
Kategorya ng Produkto:	GaN FETs
RoHS:
Isitilo ng Mounting:	SMD/SMT
Package / Case:	VQFN-46
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V
Id - Continuous Drain Current:	68.8 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	70 mOhms
Minimum na Operating Temperature:	- 40 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 105 C
Channel Mode:	Enhancement
Pangalang pangkalakal:	Nano Cap; EcoGaN
Brand:	ROHM Semiconductor
Bansa ng Pag-assemble:	Not Available
Bansa ng Diffusion:	Not Available
Bansang Pinagmulan:	JP
Tagal ng Pagbagsak:	2.7 ns
Maximum na Operating Frequency:	2 MHz
Packaging:	Reel
Packaging:	Cut Tape
Produkto:	GaN HEMT Power Stage
Uri ng Produkto:	GaN FETs
Tagal ng Pagtaas:	5 ns
Dami ng Pack ng Pabrika:	1000
Subcategory:	Transistors
Teknolohiya:	Si
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	19 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	14 ns

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

BM3G005MUV-LBE2 Datasheet

Other

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

USHTS:: 8542390070
ECCN:: EAR99

Nano Cap™ 650V GaN HEMT Power Stage ICs

ROHM Semiconductor Nano Cap™ 650V GaN HEMT Power Stage ICs are designed for demanding electronics systems. These ICs boast a blend of high power density and efficiency. The devices integrate a 650V enhancement GaN HEMT and a silicon driver. ROHM Semiconductor Nano Cap 650V GaN HEMT Power Stage ICs are ideal for applications that include industrial equipment, power supplies, bridge topology, and adapters.