AS4C128M32MD2A-18BINTR

Alliance Memory
913-4C12832MD2A18BIT
AS4C128M32MD2A-18BINTR

Mfr.:

Paglalarawan:
DRAM LPDDR2, 4G,128M X 32, 1.2V, 134 BALL BGA, 533 MHZ, Industrial TEMP - Tape & Reel

ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Availability

Stock:
Hindi Naka-stock
Lead-Time ng Pabrika:
20 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika.
Minimum: 2000   Mga Multiple: 2000
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:
LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 2000)
₱811.42 ₱1,622,840.00

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
Alliance Memory
Kategorya ng Produkto: DRAM
RoHS:  
SDRAM Mobile - LPDDR2
4 Gbit
32 bit
533 MHz
FBGA-134
128 M x 32
18 ns
1.14 V
1.95 V
- 40 C
+ 85 C
AS4C128M32MD2A-18
Reel
Brand: Alliance Memory
Bansa ng Pag-assemble: Not Available
Bansa ng Diffusion: Not Available
Bansang Pinagmulan: TW
Maselan sa Moisture: Yes
Isitilo ng Mounting: SMD/SMT
Uri ng Produkto: DRAM
Dami ng Pack ng Pabrika: 2000
Subcategory: Memory & Data Storage
Supply Current - Max: 130 mA
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

Low-Power DDR2 SDRAM

Alliance Memory Low-Power DDR2 SDRAM are high-speed CMOS and dynamic-access memory internally configured as an 8-bank device. These DDR2 SDRAM feature 4-bit pre-fetch DDR architecture, programmable READ and WRITE latencies, auto Temperature Compensated Self Refresh (TCSR), and clock stop capability. The DDR2 SDRAM reduces the number of input pins in the system by using a double data rate architecture on the Command/Address (CA) bus. This CA bus transmits address, command, and bank information. These DDR2 SDRAM can achieve high-speed operation by using a double data rate architecture on the DQ (bidirectional/differential data bus) pins.