Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

CG2H30070F

Name: MACOM CG2H30070F
Brand: MACOM
SKU: 941-CG2H30070F
Price: 29952.36 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

941-CG2H30070F

Mfr. #:

CG2H30070F

Mfr.:

MACOM

Paglalarawan:

GaN FETs 70W, DC-4.0GHz, 28V, RF Power GaN HEMT

Datasheet:

CG2H30070F Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa MACOM CG2H30070F

Alerto sa Pagpapadala:

Maaaring mangailangan ng karagdagang dokumentasyon ang produktong ito para ma-export sa United States.

May Stock: 92

Stock:: 92

Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Inoorder:: 30
Lead-Time ng Pabrika:: 26

(na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱29,952.36	₱29,952.36
	₱26,141.76	₱261,417.60

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	MACOM
Kategorya ng Produkto:	GaN FETs
Mga Paghihigpit sa Pagpapadala:	Maaaring mangailangan ng karagdagang dokumentasyon ang produktong ito para ma-export sa United States.
RoHS:
Isitilo ng Mounting:	Screw Mount
Package / Case:	440224
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	120 V
Id - Continuous Drain Current:	12 A
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	- 3.8 V
Minimum na Operating Temperature:	- 40 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 150 C
Brand:	MACOM
Bansa ng Pag-assemble:	Not Available
Bansa ng Diffusion:	Not Available
Bansang Pinagmulan:	US
Kit sa Pag-develop:	CG2H30070F-TB1
Gain:	12.4 dB
Maximum na Operating Frequency:	4 GHz
Minimum na Operating Frequency:	0 Hz
Output Power:	70 W
Packaging:	Tray
Uri ng Produkto:	GaN FETs
Dami ng Pack ng Pabrika:	30
Subcategory:	Transistors
Teknolohiya:	GaN
Uri ng Transistor:	GaN HEMT
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage:	- 10 V, 2 V
Timbang ng Unit:	10.466 g

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

CG2H30070F Datasheet (PDF)

PCN

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 85412999
ECCN:: 3A001.b.3.a.4

CG2H40xx & CG2H30xx GaN HEMTs

MACOM CG2H40xx and CG2H30xx Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to operate from a 28V rail. These transistors offer a general-purpose broadband solution to a variety of RF and microwave applications. The high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities make these HEMTs ideal for linear and compressed amplifier circuits. MACOM CG2H40xx and CG2H30xx transistors offer design flexibility with a wide variety of package types, including screw-down, solder-down, pill, and flange. Typical applications include broadband amplifiers, cellular infrastructure, and radar.