BUK9Q50-100LJ

Nexperia
771-BUK9Q50-100LJ
BUK9Q50-100LJ

Mfr.:

Paglalarawan:
MOSFETs BUK9Q50-100L/SOT8002/MLPAK33

Lifecycle:
Bagong Produkto:
Bago mula sa manufacturer na ito.
ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

May Stock: 360

Stock:
360 Maaaring Ipadala Agad
Lead-Time ng Pabrika:
53 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.
Matagal na lead time na iniulat sa produktong ito.
Minimum: 1   Mga Multiple: 1
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
₱58.00 ₱58.00
₱41.70 ₱417.00
₱25.93 ₱2,593.00
₱17.86 ₱8,930.00
₱15.02 ₱15,020.00
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 3000)
₱13.46 ₱40,380.00
₱11.54 ₱69,240.00
₱10.73 ₱96,570.00
₱9.63 ₱231,120.00

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
Nexperia
Kategorya ng Produkto: Mga MOSFET
RoHS:  
Reel
Cut Tape
Brand: Nexperia
Bansa ng Pag-assemble: Not Available
Bansa ng Diffusion: Not Available
Bansang Pinagmulan: CN
Uri ng Produkto: MOSFETs
Dami ng Pack ng Pabrika: 3000
Subcategory: Transistors
Mga Alias ng # ng Piyesa : 934670298118 934670000000
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

BUK9Q N-Channel Trench MOSFET

Nexperia BXK9Q29-60A N-Channel Trench MOSFET is an enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT8002-3 (MLPAK33) SMD plastic package using Trench MOSFET technology. This N-channel MOSFET is logic-level compatible, fast switching, and fully automotive qualified to AEC-Q101 at 175°C. The BXK9Q29-60A trench MOSFET features a 60V maximum drain-source voltage, 84A maximum peak drain current, and 27W maximum total power dissipation. This N-channel MOSFET also features a 23.7mΩ typical drain-source on-state resistance, 25mJ maximum non-repetitive drain-source avalanche energy, and 15.8A maximum non-repetitive avalanche current. The BXK9Q29-60A trench MOSFET is EU/CN RoHS-compliant. Typical applications include LED lighting, switching circuits, and DC-DC conversion.