BFP 620F H7764

Infineon Technologies
726-BFP620FH7764
BFP 620F H7764

Mfr.:

Paglalarawan:
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR

Lifecycle:
NRND:
Hindi inirerekomenda para sa mga bagong disenyo.
ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

May Stock: 11,270

Stock:
11,270 Maaaring Ipadala Agad
Lead-Time ng Pabrika:
18 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.
Minimum: 1   Mga Multiple: 1
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
₱33.06 ₱33.06
₱20.71 ₱207.10
₱16.76 ₱1,676.00
₱16.01 ₱8,005.00
₱15.37 ₱15,370.00
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 3000)
₱14.56 ₱43,680.00

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
Infineon
Kategorya ng Produkto: Mga RF Bipolar Transistor
RoHS:  
BFP620
Bipolar
SiGe
AEC-Q100
Reel
Cut Tape
Brand: Infineon Technologies
Bansa ng Pag-assemble: Not Available
Bansa ng Diffusion: Not Available
Bansang Pinagmulan: DE
Uri ng Produkto: RF Bipolar Transistors
Dami ng Pack ng Pabrika: 3000
Subcategory: Transistors
Mga Alias ng # ng Piyesa : SP000745304 BFP62FH7764XT BFP620FH7764XTSA1
Timbang ng Unit: 1.870 mg
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210075
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

RF Transistors

Infineon RF Transistors include Low Noise Amplifiers and High Linearity Transistors. Devices in the Low Noise category are based on silicon bipolar technology. Moderate transition frequency of fT <20 GHz provides ease of use and stability. Breakdown voltage can safely support supply voltage of 5V. These transistors are suitable for use with AM over VHF/UHF up to 14GHz. High Linearity Transistors provide OIP3 (Output 3rd Order Intercept Point) above 29dBm. They are based on Infineon's high volume silicon bipolar and SiGe:C technologies for best in class noise figures. These devices are ideal for drivers, pre-amplifiers, and buffer amplifiers.